دستهبندی محصولات
توضیحات
ترانزیستور 11N65 در بسته‌بندی TO-252 یکی از ترانزیستورهای MOSFET قدرت (Power MOSFET) است که در مدارهای سوییچینگ، منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) و درایورهای موتور یا LED بسیار استفاده می‌شود.
✅ مشخصات اصلی ترانزیستور 11N65:
| ویژگی | توضیح |
|---|---|
| نوع | N-Channel MOSFET |
| جریان خروجی (ID) | حدود 11 آمپر (در دمای ۲۵ درجه) |
| ولتاژ Drain-Source (Vds) | تا 650 ولت |
| مقاومت Drain-Source (Rds(on)) | حدود 0.75 اهم یا کمتر |
| توان تلفاتی (Power Dissipation) | حدود 70 وات (بسته به شرایط خنک‌سازی) |
| نوع پکیج | TO-252 (SMD) – برای لحیم‌کاری سطحی |
🧠 کاربردهای رایج:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
مبدل‌های DC-DC یا AC-DC
-
درایورهای LED با ولتاژ بالا
-
لامپ‌های LED صنعتی
-
UPS و اینورترها
-
تقویت‌کننده‌های صوتی قدرت بالا
🛠️ مزایای ترانزیستور 11N65:
-
تحمل ولتاژ بالا (تا 650V)
-
جریان بالا (11A)
-
تلفات حرارتی نسبتاً کم
-
پکیج TO-252 برای استفاده در مدارهای SMD و تهویه بهتر نسبت به TO-220
💡 نکات عملی برای استفاده:
-
گیت (Gate) باید با ولتاژ حدود 10 ولت فعال شود (برای هدایت کامل).
-
برای خاموش کردن کامل، ولتاژ Gate باید به 0 ولت یا زمین وصل شود.
-
بهتر است بین گیت و سورس یک مقاومت 10K نصب شود تا گیت دشارژ شود.
-
خنک‌سازی و طراحی PCB اهمیت زیادی دارد چون در بارهای بالا داغ می‌شود.
در اینجا اطلاعات دیتاشیت اصلی نسخه‌ای از MOSFET با نام MDF11N65B از شرکت Magnachip آورده‌ام. این مدل یکی از رایج‌ترین پیاده‌سازی‌ها برای 11N65 است و استاندارد آن با بسته‌بندی TO‑252 (D‑PAK / D²PAK) مشابه است اگر کمی متفاوت باشد (از برندسازی دیگر)، مشخصه‌ها تقریباً نزدیک به این مقادیر خواهند بود:
🔌 مشخصات تکنیکی اصلی (MDF11N65B)
⚙️ مشخصات مطلق (Absolute Maximum Ratings) @ °25C
-
ولتاژ Drain‑Source (V<sub>DSS</sub>): ۶۵۰ V
-
ولتاژ Gate‑Source (V<sub>GSS</sub>): ±۳۰ V
-
جریان Drain پیوسته (@ ۲۵ °C): ۱۲ A (در ١٠٠ °C: حدود ۷.۷ A)
-
جریان پالس (ID<sub>M</sub>): تا ۴۸ A
-
توان تلفاتی (P<sub>D</sub>): نزدیک به ۵۰ W
-
دمای کاری: −۵۵ تا +۱۵۰ °C
⚡ رفتار الکتریکی (Electrical Characteristics) @ 25°C
-
Breakdown V<sub>DSS</sub> ≥ ۶۵۰ V
-
V<sub>GS(th)</sub> (تنش آستانه گیت): ۲–۴ V
-
جریان قطع (IDSS) ≤ ۱ µA
-
R<sub>DS(on)</sub>: بین ۰.۵۵ تا ۰.۶۵ Ω در V<sub>GS</sub> = 10 V و ID = ۶ A
-
Cg (Gate Charge): ~٣١ nC
-
ظرفیت خروجی (C<sub>oss</sub>): ~۱۸۰ pF
-
Ciss ≈ 1650 pF, Crss ≈ 7.7 pF
🌟 عملکرد دینامیک و گرمایی
-
تاخیر روشن شدن (td(on)) ≈ ۲۷ ns
-
زمان Rise/ Fall: ۵۲/۴۸ ns
-
قابل استفاده در شرایط Avalanche energy بالا تا E<sub>S</sub> = 750 mJ
-
مقاومت حرارتی Junction‑to‑Case (RθJC): حدود ۲.۵ °C/W
-
مقاومت Junction‑to‑Ambient (RθJA): حدود ۶۲.۵ °C/W
📦 پکیج TO‑252 (D‑PAK)
بسته‌بندی سطح‌متصل (SMD) مانند D‑PAK (TO‑252) برای کاربردهای صنعتی ظرفیت نصب آسان روی PCB دارد و امکان نصب حرارتی مناسب فراهم می‌آورد
🧰 خلاصه ویژگی‌ها
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع MOSFET | N‑Channel Power MOSFET |
| V<sub>DSS</sub> | ۶۵۰ V |
| ID @ 25 °C | ۱۲ A |
| R<sub>DS(on)</sub> @ 10 V | 0.55 Ω typ (حداکثر 0.65 Ω) |
| Qg (بار گیت) | ~31 nC |
| توان تلفاتی | ~50 W |
| دمای کاری | −۵۵ تا +۱۵۰ °C |
| بسته‌بندی | TO‑252 (D‑PAK / D²PAK) |
پیکاوکالا خرید شما را به بهترین قیمت تضمین مینماید
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.