دستهبندی محصولات
توضیحات
ترانزیستور 10N60 با بستهبندی TO-220 یک MOSFET قدرت از نوع N-Channel است که برای ولتاژ بالا و جریان متوسط طراحی شده و در مدارهای سوئیچینگ، منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، اینورترها، درایورهای صنعتی و منابع تغذیه LED بسیار پرکاربرد است.
🧩 مشخصات فنی Transistor 10N60 (TO-220)
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع | MOSFET قدرت N-Channel |
| مدل کامل رایج | IRF10N60، TK10N60، STP10NK60Z و مشابه |
| بستهبندی | TO-220 (قابل نصب روی هیتسینک) |
| حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | 600 ولت |
| حداکثر جریان درین (Id) | 10 آمپر |
| حداکثر توان تلفاتی (Pd) | حدود 125 وات (با هیتسینک مناسب) |
| Rds(on) | حدود 0.5 تا 1 اهم (بسته به برند) |
| ولتاژ گیت-سورس مجاز (Vgs) | ±20 ولت |
| نوع کنترل | ولتاژی (Gate-controlled) |
📐 ترتیب پایهها در بسته TO-220 (از جلو با نوشته به سمت شما):
🎯 کاربردها
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
درایورهای موتور AC یا DC
اینورترهای خورشیدی یا صنعتی
منابع تغذیه LED ولتاژ بالا
درایورهای ولتاژ بالا در ماشینآلات صنعتی
UPS و منابع تغذیه متغیر
✅ مزایا
تحمل ولتاژ بسیار بالا (600V)
جریان نسبتاً بالا (10A)
پاسخدهی سریع در مدارهای سوئیچینگ
طراحی مستحکم و قابل اعتماد در کاربردهای صنعتی
بستهبندی TO-220 قابل نصب روی هیتسینک برای دفع حرارت بهتر
⚠️ نکات طراحی مهم
برای روشن شدن کامل MOSFET، ولتاژ گیت حداقل 10V نیاز است. (در حالت ایدهآل 10-15V)
استفاده از مدار Gate Driver برای سوئیچینگ سریع توصیه میشود.
گیت حساس به ESD است → از محافظ ESD و مقاومت pull-down (مثلاً 10kΩ به GND) استفاده شود.
هیتسینک مناسب در جریان بالا الزامی است چون توان تلفاتی قابلتوجه است.
با اینکه 10N60 برای 600 ولت طراحی شده، بهتر است در ولتاژهای پایینتر (مثلاً 300–500V) با حاشیه اطمینان استفاده شود.
✍️ جمعبندی
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع | N-Channel Power MOSFET |
| مدل | 10N60 (IRF10N60 یا معادلها) |
| Vds | 600V |
| Id | 10A |
| Pd | حدود 125W |
| بستهبندی | TO-220 |
| کاربرد | SMPS، اینورتر، درایور موتور، تغذیه LED |
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.