توضیحات
ترانزیستور 10N60C TO-263 یک MOSFET قدرت N-Channel با ولتاژ بالا و جریان متوسط است که در بستهبندی TO-263 (D²PAK – سطحنصب) عرضه میشود. این نوع MOSFET در مدارهای قدرت مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، اینورترها، درایورهای موتور، و بارهای صنعتی AC/DC کاربرد گسترده دارد.
🔍 مشخصات فنی Transistor 10N60C TO-263
ویژگی | مقدار |
---|---|
نوع قطعه | N-Channel Power MOSFET |
مدل رایج | FCH10N60C، FQP10N60C، TK10N60C و مشابه |
بستهبندی | TO-263 (D²PAK – نصب سطحی با تب حرارتی) |
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | 600 ولت |
حداکثر جریان درین (Id) | 10 آمپر (در دمای 25 درجه) |
Rds(on) | حدود 0.45 تا 0.85 اهم |
توان تلفاتی (Pd) | حدود 125 وات (با پد حرارتی مناسب) |
ولتاژ گیت-سورس (Vgs max) | ±20 ولت |
نوع سوئیچینگ | سریع، مناسب برای فرکانس بالا |
شارژ گیت (Qg) | حدود 30 تا 50 nC (بسته به مدل) |
📐 ترتیب پایهها در TO-263:
✅ کاربردها
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
درایور موتورهای صنعتی
-
اینورترهای ولتاژ بالا (خورشیدی، صنعتی)
-
منابع تغذیه LED قدرتی
-
شارژرهای سوئیچینگ
-
UPS
⚙️ مزایای بستهبندی TO-263
ویژگی | مزیت |
---|---|
سطحنصب (SMD) | مناسب برای مونتاژ ماشینی و مدارهای فشرده |
تب حرارتی بزرگ | دفع حرارت بهتر نسبت به TO-252 |
توان بالا | تا 100W یا بیشتر با طراحی PCB مناسب |
اتصال به Heatsink | از طریق پد پایین یا مستقیماً به فلز PCB |
⚠️ نکات طراحی مهم
-
ولتاژ گیت حداقل 10 تا 15 ولت برای روشن شدن کامل نیاز است.
-
مقاومت Pull-Down روی گیت (مثلاً 10kΩ) توصیه میشود.
-
حتماً پد حرارتی بزرگ در PCB زیر تب فلزی ایجاد شود (برای انتقال گرما).
-
در کاربردهای فرکانس بالا یا بارهای القایی، استفاده از مدار Gate Driver الزامی است.
-
گیت را از نوسانات ناگهانی محافظت کن (مثلاً با دیود زنر یا شبکه RC).
✍️ جمعبندی نهایی
ویژگی | مقدار |
---|---|
نوع | N-Channel MOSFET قدرت |
مدل | 10N60C |
بستهبندی | TO-263 (سطحنصب، D²PAK) |
ولتاژ کاری | 600V |
جریان کاری | 10A |
مقاومت روشن (Rds) | ~0.5Ω |
کاربرد | SMPS، اینورتر، LED، موتور صنعتی، UPS |
پیکاوکالا خرید شما را به بهترین قیمت تضمین مینماید
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.