دستهبندی محصولات
توضیحات
ترانزیستور 10N60 TO-252 یک ترانزیستور MOSFET قدرت از نوع N-Channel است که در بستهبندی SMD نوع TO-252 (DPAK) عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای ولتاژ بالا (تا 600 ولت) و جریان متوسط (تا 10 آمپر) طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور، اینورترها و بردهای صنعتی استفاده فراوان دارد.
🔍 مشخصات فنی Transistor 10N60 TO-252
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع قطعه | MOSFET قدرت N-Channel |
| مدلهای رایج | FQP10N60C، IRF10N60، STF10N60، TK10N60U و… |
| بستهبندی | TO-252 (DPAK – نصب سطحی با تب حرارتی) |
| حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | 600 ولت |
| حداکثر جریان درین (Id) | 10 آمپر (در دمای 25°C) |
| Rds(on) | حدود 0.45 تا 1.2 اهم (بسته به برند) |
| توان تلفاتی (Pd) | حدود 40 وات (با پد حرارتی مناسب) |
| ولتاژ گیت-سورس (Vgs max) | ±20 ولت |
| نوع کنترل | گیت ولتاژی (Gate-Controlled) |
📐 ترتیب پایهها (TO-252 – از جلو):
پایه 2 و تب فلزی (پشت قطعه) به Drain متصل هستند.
🎯 کاربردها
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
مدارهای درایور موتورهای AC و DC
مبدلهای ولتاژ بالا (AC-DC یا DC-DC)
روشنایی صنعتی LED
UPS و اینورترهای خورشیدی
تجهیزات صنعتی و کنترلی
✅ مزایای TO-252
نصب سطحی (SMD) برای طراحی بردهای فشرده
توان بالا در عین حفظ فضای کم
تب فلزی برای دفع حرارت مناسب از طریق PCB
مناسب برای تولید انبوه و خطوط مونتاژ اتومات
⚠️ نکات طراحی مهم
خنکسازی (پد حرارتی) بسیار مهم است. اگر جریان بیش از 2 آمپر نیاز دارید، PCB باید پد حرارتی بزرگ یا لایههای حرارتی داشته باشد.
برای سوئیچینگ سریع و کامل، ولتاژ گیت 10-15V تأمین شود.
استفاده از مدار Gate Driver در بارهای القایی یا فرکانس بالا توصیه میشود.
مقاومت Pull-Down (بین Gate و GND) فراموش نشود تا از روشنشدن ناخواسته جلوگیری شود.
تب فلزی به درین (Drain) متصل است؛ اگر روی هیتسینک مینشیند باید ایزوله شود.
✍️ جمعبندی
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع | N-Channel Power MOSFET |
| مدل | 10N60 |
| بستهبندی | TO-252 (سطحنصب) |
| Vds | 600V |
| Id | 10A |
| توان | حدود 40W |
| کاربرد | SMPS، درایور موتور، اینورتر، LED صنعتی |
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.