توضیحات
ترانزیستور 10N60 TO-252 یک ترانزیستور MOSFET قدرت از نوع N-Channel است که در بستهبندی SMD نوع TO-252 (DPAK) عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای ولتاژ بالا (تا 600 ولت) و جریان متوسط (تا 10 آمپر) طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور، اینورترها و بردهای صنعتی استفاده فراوان دارد.
🔍 مشخصات فنی Transistor 10N60 TO-252
ویژگی | مقدار |
---|---|
نوع قطعه | MOSFET قدرت N-Channel |
مدلهای رایج | FQP10N60C، IRF10N60، STF10N60، TK10N60U و… |
بستهبندی | TO-252 (DPAK – نصب سطحی با تب حرارتی) |
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | 600 ولت |
حداکثر جریان درین (Id) | 10 آمپر (در دمای 25°C) |
Rds(on) | حدود 0.45 تا 1.2 اهم (بسته به برند) |
توان تلفاتی (Pd) | حدود 40 وات (با پد حرارتی مناسب) |
ولتاژ گیت-سورس (Vgs max) | ±20 ولت |
نوع کنترل | گیت ولتاژی (Gate-Controlled) |
📐 ترتیب پایهها (TO-252 – از جلو):
پایه 2 و تب فلزی (پشت قطعه) به Drain متصل هستند.
🎯 کاربردها
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
مدارهای درایور موتورهای AC و DC
-
مبدلهای ولتاژ بالا (AC-DC یا DC-DC)
-
روشنایی صنعتی LED
-
UPS و اینورترهای خورشیدی
-
تجهیزات صنعتی و کنترلی
✅ مزایای TO-252
-
نصب سطحی (SMD) برای طراحی بردهای فشرده
-
توان بالا در عین حفظ فضای کم
-
تب فلزی برای دفع حرارت مناسب از طریق PCB
-
مناسب برای تولید انبوه و خطوط مونتاژ اتومات
⚠️ نکات طراحی مهم
-
خنکسازی (پد حرارتی) بسیار مهم است. اگر جریان بیش از 2 آمپر نیاز دارید، PCB باید پد حرارتی بزرگ یا لایههای حرارتی داشته باشد.
-
برای سوئیچینگ سریع و کامل، ولتاژ گیت 10-15V تأمین شود.
-
استفاده از مدار Gate Driver در بارهای القایی یا فرکانس بالا توصیه میشود.
-
مقاومت Pull-Down (بین Gate و GND) فراموش نشود تا از روشنشدن ناخواسته جلوگیری شود.
-
تب فلزی به درین (Drain) متصل است؛ اگر روی هیتسینک مینشیند باید ایزوله شود.
✍️ جمعبندی
ویژگی | مقدار |
---|---|
نوع | N-Channel Power MOSFET |
مدل | 10N60 |
بستهبندی | TO-252 (سطحنصب) |
Vds | 600V |
Id | 10A |
توان | حدود 40W |
کاربرد | SMPS، درایور موتور، اینورتر، LED صنعتی |
پیکاوکالا خرید شما را به بهترین قیمت تضمین مینماید
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.