دستهبندی محصولات
توضیحات
معرفی
قطعه 20N50 که در بسته‌بندی TO‑247 ارائه می‌شود، یک ترانزیستور MOSFET قدرت از نوع N-کانال (N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET) است. این قطعه برای کاربردهایی با ولتاژ بالا (مثلاً تا حدود ۵۰۰ ولت) و جریان تا حدود ۲۰ آمپر طراحی شده است. (مثلاً دیتاشیت‌های مختلف «20A, 500V» را نشان می‌دهند)
بسته TO-247 امکان انتقال حرارت بهتر و نصب روی هیت‌سینک‌های بزرگ‌تر را فراهم می‌کند، بنابراین در طراحی‌های صنعتی و کلیدزنی ولتاژ بالا گزینه مناسبی است.
مشخصات فنی تقریباً کامل
| پارامتر | نماد | مقدار تقریباً | توضیح |
|---|---|---|---|
| ولتاژ Drain-Source حداکثر | VDSS | ~ 500 V | نمونه: 500 V ذکر شده در دیتاشیت 20N50. |
| جریان Drain پیوسته | ID | ~ 20 A | یکی از مشخصات: 20A برای این دامنه ولتاژ. |
| مقاومت روشن (On-Resistance) | RDS(on) | ≈ 0.20-0.25 Ω (typ) @VGS=10V | برای نمونه در یکی از دیتاشیت‌ها: Typ ~0.23Ω ذکر شده. |
| ولتاژ گیت-منبع حداکثر | VGS(max) | ±30V | معمول برای MOSFETهای قدرت، بسیاری از منابع این مقدار را ذکر می‌کنند. |
| دمای کاری پیوند | TJ(max) | ~ 150 °C | معمولاً در حدود +150°C. |
| انرژی آوالانش تک پالس | EAS | ~ 1000-1200 mJ (بسته به شرایط) | برای مثال در دیتاشیت MD20N50 (که مشابه این دامنه است) 1200mJ ذکر شده. |
نکات کاربردی مهم
-
چون بسته TO-247 هست، هدایت حرارت به هیت‌سینک مهم است. در طراحی مدار، مطمئن شو که پایۀ «بک‌پلِیت» (tab) به هیت‌سینک متصل شده و مقاومت حرارتی کاهش داده شده.
-
مقاومت روشن (RDS(on)) هرچه پایین‌تر باشد، اتلاف توان کمتر خواهد بود؛ در این قطعه تقریباً 0.2-0.3Ω که برای 20A جریان، اتلاف قابل توجه است (مثلاً I²·R ≈ 20²·0.2 = 80W) اگر شرایط کامل باشد — پس باید حرارت‌زدایی خوب بشود.
-
در سوئیچینگ سریع، شارژ گیت (Gate Charge) و ظرفیت ورودی/خروجی (Ciss, Crss) اهمیت دارد. اگر مدار PWM، اینورتر یا مبدل داشته باشی، این پارامترها را بررسی کن تا عملکرد مطلوب داشته باشی.
-
ولتاژ کاری بالا (500V) یعنی این MOSFET برای منبع تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور، اینورتر، مدارهای برق صنعتی و … مناسب است.
-
چون جریان 20A هست ولی بسته‌بندی بزرگ‌تر (TO-247) هست، گزینه‌های توان بالاتر را پوشش می‌دهد. اگر جریان خیلی کمتر داری، ممکن است گزینه ارزان‌تر یا کوچکتر مناسب‌تر باشد.
مزایا / معایب
مزایا:
-
ولتاژ کاری بالا (~500V) → انعطاف در طراحی‌های ولتاژ بالا
-
جریان 20A → مناسب برای بارهای با جریان متوسط
-
بسته TO-247 → انتقال حرارت بهینه‌تر نسبت به بسته‌های کوچکتر
-
مناسب برای کلیدزنی (سوئیچینگ) و کاربردهای صنعتی
معایب:
-
مقاومت روشن نسبتاً بالا نسبت به MOSFETهای خیلی مدرن با RDS(on) خیلی کمتر → ممکن است اتلاف توان بیشتر بشود.
-
نیاز به هیت‌سینک مناسب و طراحی حرارتی دقیق.
-
شارژ گیت و ظرفیتهای ورودی/خروجی ممکن است محدودیت در سرعت سوئیچینگ ایجاد کنند؛ اگر نیاز به فرکانس خیلی بالا داشته باشی، باید دیتاشیت مقایسه شود.
کاربردهای پیشنهادی
-
منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) که ولتاژ بالا دارد
-
اینورتر یا UPS صنعتی
-
درایو موتور که ولتاژ بالا و جریان متوسط دارد
-
کلیدزنی بارهای القایی یا بارهای قدرت در ولتاژ بالا
-
مدارهایی که نیاز به MOSFET قدرت در بسته TO-247 دارند
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.