دستهبندی محصولات
توضیحات
ترانزیستور ۱۱N65 در بسته‌بندی TO-252 یکی از ترانزیستورهای MOSFET قدرت (Power MOSFET) است که در مدارهای سوییچینگ، منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) و درایورهای موتور یا LED بسیار استفاده می‌شود.
✅ مشخصات اصلی ترانزیستور ۱۱N65:
| ویژگی | توضیح |
|---|---|
| نوع | N-Channel MOSFET |
| جریان خروجی (ID) | حدود ۱۱ آمپر (در دمای ۲۵ درجه) |
| ولتاژ Drain-Source (Vds) | تا ۶۵۰ ولت |
| مقاومت Drain-Source (Rds(on)) | حدود ۰٫۷۵ اهم یا کمتر |
| توان تلفاتی (Power Dissipation) | حدود ۷۰ وات (بسته به شرایط خنک‌سازی) |
| نوع پکیج | TO-252 (SMD) – برای لحیم‌کاری سطحی |
🧠 کاربردهای رایج:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
مبدل‌های DC-DC یا AC-DC
-
درایورهای LED با ولتاژ بالا
-
لامپ‌های LED صنعتی
-
UPS و اینورترها
-
تقویت‌کننده‌های صوتی قدرت بالا
🛠️ مزایای ترانزیستور ۱۱N65:
-
تحمل ولتاژ بالا (تا ۶۵۰V)
-
جریان بالا (۱۱A)
-
تلفات حرارتی نسبتاً کم
-
پکیج TO-252 برای استفاده در مدارهای SMD و تهویه بهتر نسبت به TO-220
💡 نکات عملی برای استفاده:
-
گیت (Gate) باید با ولتاژ حدود ۱۰ ولت فعال شود (برای هدایت کامل).
-
برای خاموش کردن کامل، ولتاژ Gate باید به ۰ ولت یا زمین وصل شود.
-
بهتر است بین گیت و سورس یک مقاومت ۱۰K نصب شود تا گیت دشارژ شود.
-
خنک‌سازی و طراحی PCB اهمیت زیادی دارد چون در بارهای بالا داغ می‌شود.
در اینجا اطلاعات دیتاشیت اصلی نسخه‌ای از MOSFET با نام MDF11N65B از شرکت Magnachip آورده‌ام. این مدل یکی از رایج‌ترین پیاده‌سازی‌ها برای ۱۱N65 است و استاندارد آن با بسته‌بندی TO‑۲۵۲ (D‑PAK / D²PAK) مشابه است اگر کمی متفاوت باشد (از برندسازی دیگر)، مشخصه‌ها تقریباً نزدیک به این مقادیر خواهند بود:
🔌 مشخصات تکنیکی اصلی (MDF11N65B)
⚙️ مشخصات مطلق (Absolute Maximum Ratings) @ °۲۵C
-
ولتاژ Drain‑Source (V<sub>DSS</sub>): ۶۵۰ V
-
ولتاژ Gate‑Source (V<sub>GSS</sub>): ±۳۰ V
-
جریان Drain پیوسته (@ ۲۵ °C): ۱۲ A (در ١٠٠ °C: حدود ۷.۷ A)
-
جریان پالس (ID<sub>M</sub>): تا ۴۸ A
-
توان تلفاتی (P<sub>D</sub>): نزدیک به ۵۰ W
-
دمای کاری: −۵۵ تا +۱۵۰ °C
⚡ رفتار الکتریکی (Electrical Characteristics) @ 25°C
-
Breakdown V<sub>DSS</sub> ≥ ۶۵۰ V
-
V<sub>GS(th)</sub> (تنش آستانه گیت): ۲–۴ V
-
جریان قطع (IDSS) ≤ ۱ µA
-
R<sub>DS(on)</sub>: بین ۰.۵۵ تا ۰.۶۵ Ω در V<sub>GS</sub> = 10 V و ID = ۶ A
-
Cg (Gate Charge): ~٣١ nC
-
ظرفیت خروجی (C<sub>oss</sub>): ~۱۸۰ pF
-
Ciss ≈ ۱۶۵۰ pF, Crss ≈ ۷٫۷ pF
🌟 عملکرد دینامیک و گرمایی
-
تاخیر روشن شدن (td(on)) ≈ ۲۷ ns
-
زمان Rise/ Fall: ۵۲/۴۸ ns
-
قابل استفاده در شرایط Avalanche energy بالا تا E<sub>S</sub> = 750 mJ
-
مقاومت حرارتی Junction‑to‑Case (RθJC): حدود ۲.۵ °C/W
-
مقاومت Junction‑to‑Ambient (RθJA): حدود ۶۲.۵ °C/W
📦 پکیج TO‑۲۵۲ (D‑PAK)
بسته‌بندی سطح‌متصل (SMD) مانند D‑PAK (TO‑۲۵۲) برای کاربردهای صنعتی ظرفیت نصب آسان روی PCB دارد و امکان نصب حرارتی مناسب فراهم می‌آورد
🧰 خلاصه ویژگی‌ها
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع MOSFET | N‑Channel Power MOSFET |
| V<sub>DSS</sub> | ۶۵۰ V |
| ID @ 25 °C | ۱۲ A |
| R<sub>DS(on)</sub> @ 10 V | ۰٫۵۵ Ω typ (حداکثر ۰٫۶۵ Ω) |
| Qg (بار گیت) | ~۳۱ nC |
| توان تلفاتی | ~۵۰ W |
| دمای کاری | −۵۵ تا +۱۵۰ °C |
| بسته‌بندی | TO‑۲۵۲ (D‑PAK / D²PAK) |
پیکاوکالا خرید شما را به بهترین قیمت تضمین مینماید
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.