دستهبندی محصولات
توضیحات
ترانزیستور ۱۰N60C TO-263 یک MOSFET قدرت N-Channel با ولتاژ بالا و جریان متوسط است که در بسته‌بندی TO-263 (D²PAK – سطح‌نصب) عرضه می‌شود. این نوع MOSFET در مدارهای قدرت مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، اینورترها، درایورهای موتور، و بارهای صنعتی AC/DC کاربرد گسترده دارد.
🔍 مشخصات فنی Transistor 10N60C TO-263
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع قطعه | N-Channel Power MOSFET |
| مدل رایج | FCH10N60C، FQP10N60C، TK10N60C و مشابه |
| بسته‌بندی | TO-263 (D²PAK – نصب سطحی با تب حرارتی) |
| حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | ۶۰۰ ولت |
| حداکثر جریان درین (Id) | ۱۰ آمپر (در دمای ۲۵ درجه) |
| Rds(on) | حدود ۰٫۴۵ تا ۰٫۸۵ اهم |
| توان تلفاتی (Pd) | حدود ۱۲۵ وات (با پد حرارتی مناسب) |
| ولتاژ گیت-سورس (Vgs max) | ±۲۰ ولت |
| نوع سوئیچینگ | سریع، مناسب برای فرکانس بالا |
| شارژ گیت (Qg) | حدود ۳۰ تا ۵۰ nC (بسته به مدل) |
📐 ترتیب پایه‌ها در TO-263:
✅ کاربردها
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
درایور موتورهای صنعتی
-
اینورترهای ولتاژ بالا (خورشیدی، صنعتی)
-
منابع تغذیه LED قدرتی
-
شارژرهای سوئیچینگ
-
UPS
⚙️ مزایای بسته‌بندی TO-263
| ویژگی | مزیت |
|---|---|
| سطح‌نصب (SMD) | مناسب برای مونتاژ ماشینی و مدارهای فشرده |
| تب حرارتی بزرگ | دفع حرارت بهتر نسبت به TO-252 |
| توان بالا | تا ۱۰۰W یا بیشتر با طراحی PCB مناسب |
| اتصال به Heatsink | از طریق پد پایین یا مستقیماً به فلز PCB |
⚠️ نکات طراحی مهم
-
ولتاژ گیت حداقل ۱۰ تا ۱۵ ولت برای روشن شدن کامل نیاز است.
-
مقاومت Pull-Down روی گیت (مثلاً ۱۰kΩ) توصیه می‌شود.
-
حتماً پد حرارتی بزرگ در PCB زیر تب فلزی ایجاد شود (برای انتقال گرما).
-
در کاربردهای فرکانس بالا یا بارهای القایی، استفاده از مدار Gate Driver الزامی است.
-
گیت را از نوسانات ناگهانی محافظت کن (مثلاً با دیود زنر یا شبکه RC).
✍️ جمع‌بندی نهایی
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع | N-Channel MOSFET قدرت |
| مدل | ۱۰N60C |
| بسته‌بندی | TO-263 (سطح‌نصب، D²PAK) |
| ولتاژ کاری | ۶۰۰V |
| جریان کاری | ۱۰A |
| مقاومت روشن (Rds) | ~۰٫۵Ω |
| کاربرد | SMPS، اینورتر، LED، موتور صنعتی، UPS |
پیکاوکالا خرید شما را به بهترین قیمت تضمین مینماید
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.