دستهبندی محصولات
توضیحات
ترانزیستور ۱۰N60 با بسته‌بندی TO-220 یک MOSFET قدرت از نوع N-Channel است که برای ولتاژ بالا و جریان متوسط طراحی شده و در مدارهای سوئیچینگ، منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، اینورترها، درایورهای صنعتی و منابع تغذیه LED بسیار پرکاربرد است.
🧩 مشخصات فنی Transistor 10N60 (TO-220)
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع | MOSFET قدرت N-Channel |
| مدل کامل رایج | IRF10N60، TK10N60، STP10NK60Z و مشابه |
| بسته‌بندی | TO-220 (قابل نصب روی هیت‌سینک) |
| حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds) | ۶۰۰ ولت |
| حداکثر جریان درین (Id) | ۱۰ آمپر |
| حداکثر توان تلفاتی (Pd) | حدود ۱۲۵ وات (با هیت‌سینک مناسب) |
| Rds(on) | حدود ۰٫۵ تا ۱ اهم (بسته به برند) |
| ولتاژ گیت-سورس مجاز (Vgs) | ±۲۰ ولت |
| نوع کنترل | ولتاژی (Gate-controlled) |
📐 ترتیب پایه‌ها در بسته TO-220 (از جلو با نوشته به سمت شما):
🎯 کاربردها
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
درایورهای موتور AC یا DC
-
اینورترهای خورشیدی یا صنعتی
-
منابع تغذیه LED ولتاژ بالا
-
درایورهای ولتاژ بالا در ماشین‌آلات صنعتی
-
UPS و منابع تغذیه متغیر
✅ مزایا
-
تحمل ولتاژ بسیار بالا (۶۰۰V)
-
جریان نسبتاً بالا (۱۰A)
-
پاسخ‌دهی سریع در مدارهای سوئیچینگ
-
طراحی مستحکم و قابل اعتماد در کاربردهای صنعتی
-
بسته‌بندی TO-220 قابل نصب روی هیت‌سینک برای دفع حرارت بهتر
⚠️ نکات طراحی مهم
-
برای روشن شدن کامل MOSFET، ولتاژ گیت حداقل ۱۰V نیاز است. (در حالت ایده‌آل ۱۰-۱۵V)
-
استفاده از مدار Gate Driver برای سوئیچینگ سریع توصیه می‌شود.
-
گیت حساس به ESD است → از محافظ ESD و مقاومت pull-down (مثلاً ۱۰kΩ به GND) استفاده شود.
-
هیت‌سینک مناسب در جریان بالا الزامی است چون توان تلفاتی قابل‌توجه است.
-
با اینکه ۱۰N60 برای ۶۰۰ ولت طراحی شده، بهتر است در ولتاژهای پایین‌تر (مثلاً ۳۰۰–۵۰۰V) با حاشیه اطمینان استفاده شود.
✍️ جمع‌بندی
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع | N-Channel Power MOSFET |
| مدل | ۱۰N60 (IRF10N60 یا معادل‌ها) |
| Vds | ۶۰۰V |
| Id | ۱۰A |
| Pd | حدود ۱۲۵W |
| بسته‌بندی | TO-220 |
| کاربرد | SMPS، اینورتر، درایور موتور، تغذیه LED |
پیکاوکالا خرید شما را به بهترین قیمت تضمین مینماید
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.