دستهبندی محصولات
توضیحات
قطعه 20N50 یک MOSFET از نوع N-کانال (N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET) است که برای کاربردهایی با ولتاژ بالا و جریان متوسط طراحی شده است. بسته TO-220F امکان نصب آسان روی هیت‌سینک را فراهم می‌کند. نمونه‌های مشخص مانند این قطعه دارای ولتاژ قطع (VDSS) حدود ۵۰۰ ولت و جریان پیوسته ۲۰ آمپر هستند.
کاربردهای معمول: منبع تغذیه‌های سوئیچینگ، موتور درایوها، UPS، مبدل‌های DC-DC، مدارهای کلیدزنی ولتاژ بالا.
مشخصات فنی – جدول کامل
| پارامتر | نماد | مقدار | توضیح |
|---|---|---|---|
| ولتاژ Drain-Source (بیشینه) | VDSS | 500 V | ولتاژ ماکزیمم تا زمانی که کلید خاموش است. |
| ولتاژ Gate-Source (بیشینه) | VGS(max) | ±30 V | ولتاژ بیشینه بین گیت و سورس. |
| جریان Drain پیوسته (TC=25°C) | ID | 20 A | جریان پیوسته قابل تحمل در دمای کاری. |
| مقاومت RDS(on) (معمول-تا ماکزیمم) | RDS(on) | ≈ 0.20-0.23 Ω @VGS=10 V | مقاومت زمانی که MOSFET روشن است (VGS=10V)؛ برای نمونه: 0.20Ω typ، 0.23Ω max. |
| ولتاژ گیت‌آستانه | VGS(th) | 3.0-5.0 V | ولتاژی که در آن MOSFET شروع به روشن شدن می‌کند (ID ≈ 250µA) |
| ظرفیت ورودی (Input Capacitance) | Ciss | ≈ 2400 pF typ | در VDS=25V، VGS=0V، فرکانس 1MHz. |
| شارژ گیت کل | Qg | ≈ 45.6-59.5 nC @VGS=10V, VDS=400V | میزان بار گیت — مهم برای سرعت سوئیچینگ. |
| دمای کاریِ ماکزیمم پیوند | TJ(max) | +150 °C | محدوده دمای کاری قطعه. |
| انرژی آوالانش تک‌پالسه | EAS | ≈ 1110 mJ | مقاومت در برابر شرایط آوالانش — یعنی ولتاژ معکوس هنگام خاموش-روشن شدن سریع. |
نکات کاربردی و طراحی
– به دلیل ولتاژ بالا (۵۰۰V)، این MOSFET مناسب طراحی‌های با ولتاژ ورودی بالا یا مدارهای کلیدزنی ولتاژ بالا است.
– مقاومت RDS(on) نسبتاً پایین (~0.2 Ω) به کارایی بهتر در حالت روشن کمک می‌کند، یعنی اتلاف توان کمتر.
– شارژ گیت متوسط نشان می‌دهد برای سرعت سوئیچینگ شدید به مدار درایور گیت مناسب نیاز دارید.
– برای نصب روی هیت‌سینک، بسته TO-220F مزیت مکانیکی و گرمایی مناسبی دارد. (بسته TO-220F معمولاً تمام بدنه پلاستیکی با تب فلزی دارد)
– اگر در حالت سوئیچینگ سریع استفاده می‌شود، باید به طراحی مدار محافظ آوالانش و بازیابی دیود بدنه (body-diode) هم توجه شود.
مزایا و نقاط ضعف
مزایا:
-
ولتاژ بالا = انعطاف در مدارهای صنعتی.
-
جریان ۲۰ آمپر = برای کاربردهای متوسط مناسب.
-
بسته TO-220F = نصب راحت روی هیت‌سینک.
-
مقاومت پایین RDS(on) = کارایی بهتر و گرمای کمتر.
نقاط ضعف:
-
RDS(on) هنوز از MOSFETهای «سوپرترانزیستوری» امروزی کمی بالاتر است – در طراحی‌های بسیار بهینه ممکن است گزینه‌های بهتر وجود داشته باشد.
-
شارژ گیت نسبتا بزرگ = نیاز به درایور قوی‌تر برای سوییچ سریع.
-
طراحی برای کلیدزنی ولتاژ بالا است؛ اگر ولتاژ شما خیلی پایین است، ممکن است اقتصادی‌تر گزینه‌های دیگر را بررسی کنید.
کاربردهای پیشنهادی
-
منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با ولتاژ بالا.
-
اینورترها، UPS، مدارهای تغذیه صنعتی.
-
کنترل موتور یا مدارات درایو که نیاز به مقاومت بالا در برابر ولتاژ دارند.
-
کلیدزنی مدارهای LED با ولتاژ زیاد یا بارهای القایی.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.