دستهبندی محصولات
توضیحات
معرفی کلی
ترانزیستور MOSFET از نوع N-کانال 18N50 با حالت “enhancement mode” است؛ یعنی برای روشن شدن، گیت آن باید به ولتاژ مثبت اعمال شود. این قطعه در بسته‌بندی TO-220F عرضه می‌شود که برای کاربردهای قدرت مناسب است. مثلاً شرکت‌های تولیدکننده‌ای مانند Unisonic Technologies Co., Ltd. این قطعه را با ولتاژ شکست (VDSS) برابر با 500 ولت و جریان تا حدود 18 آمپر معرفی کرده‌اند.
بسته TO-220F این امکان را به طراح می‌دهد که با نصب روی هیت‌سینک، اتلاف حرارتی را مدیریت کند، که برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت اهمیت دارد.
مشخصات فنی کلیدی
در زیر برخی از ویژگی‌های مهم این قطعه را آورده‌ام — این‌ها برای رعایت سئو هم مهم‌اند چون کاربران دقیقاً دنبال چنین مشخصاتی هستند:
-
ولتاژ شکست Drain-to-Source (VDSS): 500 ولت.
-
جریان پیوسته Drain (ID): حدود 18 آمپر (بسته به شرایط حرارتی).
-
مقاومت حالت روشن (RDS(on)): در VGS = 10 ولت، تقریباً ≤ 0.30 Ω (به‌عنوان مثال 0.32 Ω در برخی برندها)
-
ولتاژ گیت-منبع (VGS) تحمل‌شده: ±30 ولت در بسیاری از داده‌برگ‌ها.
-
بسته‌بندی: TO-220F (دارای تب فلزی برای نصب هیت‌سینک) و روش پین‌ها معمولاً Gate (G)، Drain (D) و Source (S). فناوری ساخت: DMOS یا VDMOS با سلول موج‌شده (planar stripe) برای بهبود سوئیچینگ و تحمل ضربه (avalanche) در حالت سوئیچینگ.
-
کاربردها: منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، رکتیفایرها، اصلاح ضریب توان (PFC)، درایورهای موتور، چراغ‌ها و …
چرا انتخاب خوبی است؟ (ارزش تجاری + فنی)
-
مقاومت کم RDS(on) به معنی تلفات پایین‌تر هنگام روشن بودن است — برای کاربردهای قدرت که کارایی مهم است، این واقعا نکتهٔ مهم است.
-
ولتاژ بالای 500 ولت اجازه می‌دهد در مدارهایی با ولتاژ بالا یا اسنابر (snubber) یا بخش‌های PFC استفاده شود.
-
بسته‌بندی TO-220F امکان نصب هیت‌سینک را مهیا می‌کند و بنابراین می‌توان جریان یا توان بیشتری را عبور داد بدون داغ شدن زیاد.
-
فناوری مقاوم به حالت avalanche یا کلارک (یعنی تحمل ضربهٔ قوس) دارد که عمر قطعه را در شرایط سوئیچ سریع افزایش می‌دهد.
-
اگر در فروشگاه یا سایتتان این قطعه را معرفی می‌کنید، تأکید روی کاربردهای «سوئیچینگ قدرت»، «منابع تغذیه صنعتی»، «مانیتورینگ جریان بالا»، «ولتاژ بالا» باعث می‌شود مشتریان فنی جذب شوند.
نکاتی برای استفاده و نصب
-
هنگام نصب روی هیت‌سینک، باید تب فلزی TO-220F را به‌خوبی به هیت‌سینک بچسبانید با خمیر حرارت یا پد حرارتی تا حرارت بهتر منتقل شود.
-
اگر هیت‌سینک شما فلزی است و تب فلزی به آن متصل می‌شود، مطمئن شوید که اتصال بدنه تب به هیت‌سینک ایمن است یا در صورت نیاز از واشر عایق گرمایی استفاده شود. بسته‌ی TO-220 عموماً چنین نکاتی دارد.
-
گیت (Gate) را با ولتاژ مناسب درایو کنید (مثلاً 10-12 ولت) تا مقاومت RDS(on) پایین حاصل شود؛ اگر ولتاژ گیت کمتر باشد، مقاومت روشن بیشتر خواهد بود و تلفات بالاتر خواهد رفت.
-
در طراحی مدار، توجه کنید به مقدار بار و شرایط حرارتی؛ اگر جریان زیاد دارید، باید به ظرفیت حرارتی (junction-to-ambient) و توان تلف‌شده (P = I² × RDS(on)) توجه شود و ممکن است نیاز به هیت‌سینک بزرگ یا جریان کمتر باشد.
-
توجه به روشن و خاموش شدن سریع (مثلاً مدار PWM) که باعث استرس روی MOSFET می‌شود؛ در این قطعه ویژگی‌هایی برای سوئیچ سریع و کم ظرفیت گیت (low gate charge) دیده شده است.
جایگزین‌ها و نکات خرید
-
اگر نتوانید نسخهٔ دقیق 18N50 پیدا کنید، می‌توانید به MOSFETهای 500 ولت / ~18 آمپر با مقاومت مشابه RDS(on) نگاه کنید — اما باید مطمئن شوید که بسته و پین‌ها مطابق است.
-
برندها و نام‌های مختلف ممکن است کمی متفاوت باشند؛ مثلا 18N50-C، یا 18N50L، یا نسخه‌های با بسته‌بندی دیگر مثل TO-220، TO-220F1 و غیره.
نکات طراحی:
-
ولتاژ گیت: ±30V تحمل.
-
درایو گیت با ~10V برای کم‌ترین مقاومت روشن.
-
نیاز به هیت‌سینک مناسب برای جریان‌های بالا.
-
نصب صحیح در مدار با توجه به حرارت، جریان و ولتاژ الزامی.
کاربردها: مدارهای رکتیفایر، تبدیل DC-DC، منابع تغذیه صنعتی، UPS، درایورهای موتور، حالت‌های سوئیچینگ قدرت.
خرید: نسخه TO-220F دارای تب فلزی جهت نصب هیت‌سینک، مناسب برای طراحی‌های صنعتی و نیمه‌صنعتی که حجم و جریان بالا دارند.
با انتخاب 18N50، شما یک MOSFET قدرتمند برای طراحی‌های ولتاژ بالا و جریان بالا در اختیار دارید که ترکیب خوبی از عملکرد، مقاومت روشن کم و قابلیت تحمل شرایط سخت را ارائه می‌دهد.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.