توضیحات
قطعه 12N70 با پکیج TO-220 یکی از MOSFETهای قدرت بالا (N-Channel Power MOSFET) هست که مخصوص مدارهای ولتاژ بالا و توان متوسط تا زیاد ساخته شده است.
توضیح کامل 👇
⚙️ مشخصات اصلی (Main Electrical Specs)
| ویژگی | مقدار |
|---|---|
| نوع قطعه | N-Channel MOSFET |
| پکیج | TO-220 (دارای پد فلزی برای هیتسینک) |
| ولتاژ درین-سورس (Vds) | 700 ولت ⚡ |
| جریان درین مداوم (Id) | 12 آمپر در دمای 25°C |
| مقاومت روشن شدن (Rds(on)) | حدود 0.6 اهم (600mΩ) |
| ولتاژ گیت-سورس (Vgs) | ±30 ولت |
| توان تلفاتی (Ptot) | حدود 150 وات با خنککاری مناسب |
| دمای کاری | -55 تا +150 درجه سانتیگراد |
| نوع درایو | غیر Logic-Level → نیاز به گیت درایو 10–15V |
🧠 ویژگیهای مهم
-
تحمل ولتاژ بالا (700V) → مناسب برای مدارهای AC و منابع تغذیه با برق شهر (220V).
-
مناسب برای سوئیچینگ سریع تا چند صد کیلوهرتز.
-
بدنه فلزی (Drain) → قابلیت انتقال حرارت بالا با هیتسینک.
-
پایداری بالا در برابر نوسانات ولتاژ و جریان.
-
ساختار DMOS یا HEXFET برای کاهش تلفات در حالت سوییچینگ.
⚡ کاربردها
این ترانزیستور در مدارهای با ولتاژ بالا استفاده میشود ، مخصوصاً جایی که هم سرعت سوییچ بالا و هم تحمل ولتاژ زیاد مهم است :
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
پاور تلویزیون و مانیتور
-
درایور موتورهای AC کوچک
-
اینورترها و مبدلهای DC-AC
-
شارژرهای صنعتی
-
بالاست الکترونیکی لامپها
🔌 پایهها (Pinout – وقتی نوشته روبهروی شما باشد)
1️⃣ Gate (گیت)
2️⃣ Drain (درین)
3️⃣ Source (سورس)
بدنه فلزی پشتی → به Drain متصل است.
🔄 قطعات جایگزین و معادلها
| مدل جایگزین | توضیح |
|---|---|
| IRF7N80 / IRF8N80 | ولتاژ بالاتر (800V) با جریان مشابه |
| STP12NK70Z | جایگزین دقیق با Rds(on) پایینتر |
| 2SK3679 / 2SK1118 | مدلهای ژاپنی مشابه |
| IRFP460 | جریان بیشتر (20A) در پکیج بزرگتر TO-247 |
🧩 نکات طراحی
-
به خاطر ولتاژ بالای آن ، برای درایو مستقیم از میکروکنترلر مناسب نیست → باید از درایور گیت (مثل IR2110 یا TLP250) استفاده شود.
-
حتماً از هیتسینک مناسب استفاده کنید چون در جریان بالا گرمای قابل توجهی تولید میکند.
-
اگر مدار در ناحیه 220V AC کار میکند، حتماً از snubber RC برای حفاظت در برابر ولتاژهای ناگهانی استفاده کنید.

دستهبندی محصولات
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.